一、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識(shí)

1.名稱(chēng)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(xiě)(FET)），簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET-JFET)

金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）

由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。

與之對(duì)應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管，三極管(BJT)，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件。

常見(jiàn)如圖：

2.電路符號(hào)

3.分類(lèi)

4.應(yīng)用場(chǎng)景

· 電路主電源開(kāi)關(guān)，完全切斷，低功耗省電。

· 大功率負(fù)載供電開(kāi)關(guān)，如：電機(jī)，太陽(yáng)能電池充電\放電，電動(dòng)車(chē)電池充電

· 逆變器SPWM波升壓部分功率電路

· 功放，音響的功率線(xiàn)性放大電路

· 數(shù)字電路中用于電平信號(hào)轉(zhuǎn)換

· 開(kāi)關(guān)電源中，高頻大功率狀態(tài)

· 用于LED燈的恒流驅(qū)動(dòng)電路

· 汽車(chē)、電力、通信、工業(yè)控制、家用電器等

二、MOS管G、S、D區(qū)分以及電流流向

MOS管G、S、D代表什么？

G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極

MOS管是金屬(Metal)—氧化物—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。

三、耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理 (耗盡型：depletion mode)

四、NMOS與PMOS的區(qū)別

1.根本原因

· PMOS管空穴遷移率低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導(dǎo)小于NMOS

· 形成空穴溝道比電子溝道更難，PMOS的閾值電壓較NMOS高，因此需要更高的驅(qū)動(dòng)電壓，充放電時(shí)間長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)速度便低

· 空穴移動(dòng)比電子移動(dòng)更難，所以PMOS導(dǎo)通電阻大，發(fā)熱大，不易通過(guò)大電流

2.結(jié)構(gòu)

3.電路接法

4.成本分析

NMOS價(jià)格便宜，廠商多，可選型號(hào)多

PMOS價(jià)格貴，廠商少，可選型號(hào)少

五、MOS管應(yīng)用電路

NMOS同時(shí)用于上管和下管，專(zhuān)用半橋驅(qū)動(dòng)芯片，電荷泵升壓控制極。